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其他芯片方案 芯控源AGM405AP1是高單元密度溝槽N溝道MOSFET

2023-08-11 查看(985)

AGM405AP1是高單元密度溝槽N溝道MOSFET它提供了同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用最優(yōu)秀的RDSON和柵極電荷。...
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其他芯片方案 芯控源AGM1010A2高電池密度槽溝式N-溝道MOSFET

2023-08-11 查看(1192)

AGM1010A2是高電池密度槽溝式N-溝道MOSFET,它提供適用于大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的優(yōu)秀RD SON和柵極電荷。...
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其他芯片方案 芯控源AGM310AP1溝槽N溝道MOSFET_聚泉鑫

2023-08-11 查看(1277)

100%EAS保證綠色設(shè)備可用*超低柵極電荷優(yōu)異的CdV/dt效應(yīng)衰減先進的高電池密度溝槽技術(shù)。AGM310AP1是高單元密度溝槽N溝道MOSFET,它提供了同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用最優(yōu)秀的RDSON和柵極電荷。...
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其他芯片方案 芯控源AGM308AP槽溝式N-溝道MOSFET-聚泉鑫

2023-08-11 查看(894)

AGM308AP是高電池密度槽溝式N-溝道MOSFET,它提供適用于大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的優(yōu)秀RDSON和柵極電荷。...
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其他芯片方案 芯控源AGM306AP溝槽N溝道MOSFET_聚泉鑫

2023-08-11 查看(816)

AGM306AP是高單元密度溝槽N溝道MOSFET它提供了同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用最優(yōu)秀的RDSON和柵極電荷。...
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其他芯片方案 芯控源AGM311MAP芯片溝槽N溝道MOSFET_聚泉鑫

2023-08-11 查看(1025)

AGMSEMI AGM311MAP,耐壓30V,導(dǎo)阻10.5mΩ,DFN3.3*3.3封裝,用于線圈驅(qū)動。AGM311MAP是高單元密度溝槽N溝道MOSFET,它提供了同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用最優(yōu)秀的RDSON和柵極電荷。...
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其他芯片方案 英集芯IP5356充電流控制寄存器,口輕載電流設(shè)置寄存器

2023-08-09 查看(1543)

IP5356 支持 LED1LED2 復(fù)用為12C 的連接方式,按照對應(yīng)的方式連接和上電就會關(guān)閉其他功能,自進入12C模式。IP5356 i2c 通訊頻率最高支持 300K ,8bit 寄存器地址,8bit 寄存器數(shù)據(jù),發(fā)送和接收都是高位在前(MSB),12C 設(shè)備地址有兩組,一組:寫為 0xE8,...
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其他芯片方案 IP2218 USB接口的快速充電物理層IC_聚泉鑫

2023-06-17 查看(1003)

IP2218是一款USB端口專用的快速充電物理層芯片,支持11種快速充電標準,包括USBPD2.0/PD3.0/PPS(可編程電源),HVDCPQC2.0/QC3.0(快速充電) ,Allied CapitalCorporation (三星@自適應(yīng)快速充電)、SCP(海思超級充電協(xié)議)和FCP (海...
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其他芯片方案 英集芯IP2189端口的快充協(xié)議 IC_聚泉鑫

2023-06-17 查看(890)

IP2189 具備高集成度和豐富的功能,應(yīng)用方案外圍器件最少化,有效減小整體方案的尺寸和復(fù)雜度,降低 BOM 成本。為適配器、車充等單向輸出應(yīng)用提供完整的 TypeC PD 解決方案。...