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英諾賽科650V增強型氮化鎵GaN場效應晶體管INN650D01
| 英諾賽科（Innoscience）650V增強型氮化鎵GaN場效應晶體管INN650D01，助力PD快充高效高功率密度設計 英諾賽科（Innoscience）INN650D01主要是應用于快充等市場，實現(xiàn)高效高功率密度設計。 采用硅Si MOSFET技術和采用氮化鎵GaN技術，在同樣采用ACF電路設計的條件下數(shù)據(jù)對比如下： （一）45W PD快充對比： （1）采用硅Si MOSFET技術，45W快充：功率密度9W/in3，效率91%@90VAC輸入，100%負載的情況下。 （2）采用氮化鎵GaN技術，45W的快充：功率密度14W/in3，效率93%@90VAC輸入，100%負載的情況下。
（二）65W PD快充對比： （1）采用硅Si MOSFET技術，65W的快充：功率密度10W/in3，效率91%@90VAC輸入，100%負載的情況下。 （2）采用氮化鎵GaN技術，65W的快充：功率密度20.5W/in3，效率93%@90VAC輸入，100%負載的情況下。
通過以上兩組數(shù)據(jù)對比，可以看出相比于傳統(tǒng)的硅Si MOSFET技術，采用氮化鎵GaN MOSFET技術具有如下優(yōu)勢： （1）效率提高：在效率上實現(xiàn)2%的提升。 （2）功率密度提高：在功率密度上45W提升5W/in3，65W更是提升了10.5W/in3。 （3）體積縮?。弘S著功率密度的提升，產(chǎn)品的體積就往更加小型化發(fā)展，45W的體積在原有基礎上減小35%，65W的體積相當于減小50%也就是說體積能夠減小一半左右。 |
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